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天眼查App顯示，近日，華北電力科學研究院有限責任公司與國家電網(wǎng)有限公司共同研發(fā)的“IGBT二類短路過程瞬態(tài)電壓和電流評估方法及裝置”正式獲得發(fā)明專利授權。該專利技術通過建立集電極電流與換流回路電壓、柵極電壓以及集射極電壓的關系模型，能夠精確評估IGBT芯片在二類短路過程中的瞬態(tài)電壓和電流變化。

該技術的核心在于利用電路參數(shù)和芯片器件的物理特性，結(jié)合電容效應，構建了多個關系模型，從而實現(xiàn)對IGBT芯片狀態(tài)的實時監(jiān)測和評估。這一創(chuàng)新不僅提高了IGBT狀態(tài)檢測的準確性，還增強了其在實際應用中的可靠性，為電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運行提供了有力保障。

據(jù)悉，該專利技術已通過國家知識產(chǎn)權局的審查，并于2024年11月29日正式公布。未來，這一技術有望在電力電子設備、新能源汽車等領域得到廣泛應用，進一步推動相關行業(yè)的技術進步。

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