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天眼查App顯示，蘇州東微半導體股份有限公司于2024年9月29日公開了一項名為“一種IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利，專利號為CN202411371344.3。該專利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發(fā)明，屬于IGBT器件技術領域。

該專利的核心技術在于通過傾斜和垂直的離子注入工藝，減少了制造過程中的光刻工藝次數(shù)，從而顯著降低了IGBT器件的制造成本。具體步驟包括在n型半導體層內(nèi)形成第一溝槽、N離子注入?yún)^(qū)、n型電荷存儲區(qū)、n型源區(qū)，以及通過自對準工藝形成第一柵極和第二溝槽，最終在第二溝槽形成第二柵極，并在n型半導體層內(nèi)形成p型體區(qū)。

蘇州東微半導體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)，此次專利的公開標志著該公司在IGBT器件制造技術領域取得了重要突破。該專利的公開日期為2024年12月31日，預計將對半導體行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。

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