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華虹公司2025年?duì)I收172.91億元，同比增長(zhǎng)20.18%；毛利率升至11.8%；產(chǎn)能利用率106.1%；研發(fā)投入19.94億元，占比11.53%。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司近日公開了一項(xiàng)新型IGBT器件的制造方法，該方法通過減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了制造成本。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司近日公開了一項(xiàng)名為“一種IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利，該專利通過減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了IGBT器件的制造成本。

華北電力科學(xué)研究院與國(guó)家電網(wǎng)有限公司聯(lián)合研發(fā)了一種基于開通過程?hào)艠O電流信號(hào)的IGBT缺陷檢測(cè)方法及裝置，該技術(shù)能夠高效檢測(cè)IGBT的柵射極回路缺陷，并實(shí)現(xiàn)定量檢測(cè)。

華北電力科學(xué)研究院與國(guó)家電網(wǎng)有限公司聯(lián)合開發(fā)了一種基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的IGBT缺陷定位方法及系統(tǒng)，該技術(shù)已獲得發(fā)明專利，并正式公開。

華北電力科學(xué)研究院有限責(zé)任公司與國(guó)家電網(wǎng)有限公司聯(lián)合開發(fā)了一種新型IGBT二類短路過程瞬態(tài)電壓和電流評(píng)估方法及裝置，旨在提升IGBT狀態(tài)檢測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。

重慶青山工業(yè)有限責(zé)任公司近日申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“用于新能源車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IGBT開關(guān)暫態(tài)的建模方法”的發(fā)明專利，該專利旨在通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)準(zhǔn)確模擬IGBT開關(guān)的暫態(tài)波形，適用于大量數(shù)據(jù)仿真。